Gereelde vrae

Eerstens, die verskil tussen rou materiaal silikon wafer tipes
Die fundamentele verskil tussen P-tipe komponente en N-tipe komponente spruit uit die tipe rou materiaal silikonwafels wat hulle gebruik. P-tipe komponente gebruik P-tipe silikonwafers, wat 'n gat-gedomineerde halfgeleieromgewing skep deur driewaardige boor in suiwer silikonwafers in te sluit. N-tipe komponente gebruik N-tipe silikonwafels, wat in die vyfwaardige element fosfor opgeneem word om 'n halfgeleierstruktuur met 'n meerderheid elektrone te vorm. Hierdie verskil in basiese materiale bepaal die fundamentele verskil in prestasie tussen die twee.
Tweedens, die verskil van voorbereidingstegnologie
Wat voorbereidingstegnologie betref, het P-tipe komponente 'n oorgang van die tradisionele aluminium-agterveld (Al-BSF) na PERC-tegnologie ondergaan. PERC-tegnologie verbeter effektief die foto-elektriese omskakelingsdoeltreffendheid van die sel deur 'n passiveringslaag aan die agterkant van die sel by te voeg. Namate PERC-tegnologie egter geleidelik sy teoretiese doeltreffendheidsperke nader, staar die verdere ontwikkeling van P-tipe komponente uitdagings in die gesig. Daarteenoor is die voorbereidingstegnologie van N-tipe komponente meer divers, insluitend TOPCon, HJT, PERT/PERL, IBC ensovoorts. Hierdie tegnologieë het nie net 'n hoë omskakelingsdoeltreffendheid nie, maar het ook die eienskappe van anti-demping en lae temperatuurkoëffisiënt, wat 'n sterker markpotensiaal toon. Veral HJT-tegnologie, met sy unieke heteroaansluitingstruktuur, realiseer hoër oopspanning en kortsluitingstroom, en word die leier in N-tipe komponente.
Derdens, prestasie en marktoepassing
Wat werklike werkverrigting betref, het N-tipe komponente gewoonlik hoër omskakelingsdoeltreffendheid en beter stabiliteit. Dit is te danke aan die hoë elektronmobiliteit van N-tipe silikonmateriale en gevorderde voorbereidingstegnologie. Daarbenewens is die werkverrigting van N-tipe modules in dubbelsydige kragopwekking en lae ligtoestande ook beter as dié van P-tipe modules, wat maak dat hulle 'n wyer toepassingsvooruitsig het in verspreide fotovoltaïese, fotovoltaïese armoedeverligting en ander velde. Die hoë koste van N-tipe komponente was egter 'n struikelblok vir die grootskaalse aanvaarding daarvan. Tans is die industrialisering van N-tipe tegnologie nog in die vroeë stadium, en die produksiekoste is relatief hoog, wat hoë markpryse tot gevolg het. Dit maak dat baie verbruikers steeds P-tipe modules met hoër kosteprestasie verkies wanneer hulle fotovoltaïese produkte kies.
Vierdens, die geskiedenis en ontwikkeling van fotovoltaïese seltegnologie
1, PERC beslaan die hoofstroom, naby aan die limiet vir omskakelingsdoeltreffendheid
Deur 'n passiveringsfilm op die agterkant van die sel by te voeg, verminder PERC-tegnologie effektief die rekombinasieverlies van fotogegenereerde draers, waardeur die omskakelingsdoeltreffendheid van die sel verbeter word. Die bekendstelling van hierdie tegnologie het die omskakelingsdoeltreffendheid van P-tipe batterye aansienlik verbeter, en het ook die gewildheid daarvan in die mark bevorder. Tans het PERC-batterye 'n dominante posisie in die fotovoltaïese mark beklee en word dit die hoofstroomtegnologie vir P-tipe batterye. PERC sel tegnologie is relatief volwasse, koste-effektief, maar die massa produksie doeltreffendheid het 23,2% bereik, geleidelik nader die teoretiese limiet doeltreffendheid van ongeveer 24,5%, die doeltreffendheid styg spasie is smal, en die P-tipe sel as gevolg van ryk boor suurstof veroorsaak deur lig te verval verskynsel kan nie heeltemal opgelos word nie, vervaardigers sal die marginale voordeel koers van belegging afnemende effek in die gesig staar, P-tipe sel ontwikkeling ruimte is baie beperk.
2, N-tipe batterye het ooglopende voordele, en sal na verwagting die nuwe hoofstroom van die fotovoltaïese mark word
Aangesien die mark se vereistes vir selomskakelingsdoeltreffendheid aanhou verbeter, het fotovoltaïese vervaardigers begin om die volgende generasie seltegnologie te ontwikkel met hoër omskakelingsdoeltreffendheidsperke – N-tipe hoëdoeltreffendheidbatterye. N-tipe batterye, verteenwoordig deur TOPCon, HJT en IBC, het die voordele van hoë omskakelingsdoeltreffendheid, anti-demping, lae temperatuur koëffisiënt en hoë dubbelzijdige tempo, wat bevorderlik is vir die verbetering van fotovoltaïese kragopwekkingswins en die vermindering van kragopwekkingskoste, en het breë ontwikkelingsvooruitsigte, maar is steeds in die vroeë stadium van industrialisasie weens hoë beleggingskoste.